内存条怎样看大小
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这是SD内存，如果是单面8颗就是M的，比DDR还早一代。应该是PC100内存。
现代内存条
“现代”内存条应该是现时市场最受欢迎的内存，其优点是价格低廉、兼容性强。但是，目前流行的现代内存条大多数并不是现代（HYUNDAI）公司原产的，多数是使用它的内存颗粒。从它的内存颗粒看可分为7J、7K、75和T-P、T-H（见图10）。其中内存颗粒上标示的数据分为3行。
下面以图11，详细说明。
第1行
第1行是内存颗粒的生产厂家和产地，“HYUNDAI”表示现代公司，“KOREA”为韩国;
第2行
①→此处为内存颗粒的生产厂家，“GM”表示LGS公司，“HY”表示现代公司。注:原先的7J、7K和75的现代内存颗粒是由LGS公司生产的，后来LGS和现代公司合并，从此对外都称为现代内存（HYUNDAI）;
②→此处表示内存的类型，“72”、“57”均表示该内存为SDRAM。“5D”为DDR SDRAM;
③→此处为内存的额定工作电压，“V”表示3.3V电压;
④→此处为内存的内存颗粒的容量和刷新，其中16为32Mbit、4K刷新;“28”为128Mbit、4K刷新;“”为Mbit、8K刷新;“66”为Mbit、4K刷新;“56”为256Mbit，8K刷新;
⑤→此处为内存的数据带宽，它表示内存颗粒的数据位宽。“4”为4bit，“8”为8bit，“16”为16bit，“32”为32bit;
⑥→此处为内存的芯片组成，“1”为1Bank，“2”为2Bank，“4”为4Bank;
⑦→此处为内存I／O接口，“0”=LVTTL，“1”=SSTL-3;
⑧→此处为内存的内核代号;
⑨→此处表示内存的功耗，空白时为普通功耗，“L”为低功耗，此处为空白;
⑩→此处表示内存的封装形式，“T”=TSOP，“Q”=TQFP，“I”=BLP，“L”=CSP;
→这里表示的就是内存的工作速度，其中“75”为7.5ns（133MHz）、“7K”为10ns（PC100、CL为2、3）、“7J”为10ns（PC100、CL3）、“10K”为10ns（PC66）;在某些使用现代颗粒的显存中，6为6ns（166MHz）、65为6.5ns（153MHz）、7为7ns（143MHz）、75为7.5ns（133MHz）、8为8ns（125MHz）;
需要注意的是，现在市场上出现的现代内存，T-H内存颗粒是原来75的替代型，速度为PC133;而T-P内存颗粒则是原来7J、7K的替换型，速度为PC100。
第3行
表示该内存的生产日期，如“0024”就是2000年的第24周生产的。
现代内存的特点主要是价格便宜，兼容性好。但是其速度不高，一般7J、7K的现代内存条只能在100MHz CL3下工作，而75和T-H的现代内存条相对要好些，它能在133MHz CL3下工作，但在CL为2时仍无法正常工作。
