三极管F0可以什么代替
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发布时间：2022-04-23 13:52
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时间：2023-10-16 16:27
用场效应*管代替。
场效应管用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
扩展资料:
主要参数：
1、直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
2、交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
参考资料来源：百度百科-场效应管
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时间：2023-10-16 16:28
F0 N沟道场效应*管 200V 18A.可以用IRF0，IRL0NS，FQP19N20代用。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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时间：2023-10-16 16:28
IRF0 N沟道场效应*管 200V 18A
三极管资料参见IRF0百度文库
以下网上找的数据，自己在里面找替换，替换原件参数等于或大于原原件即可。
-----------------------------------------------------------------------------
200V MOSFET场效应管系列:
2SK2350 TO-220F TOSHIBA DIP/MOS N场 200V 8.5A 0.4Ω
IRFD210 IR DIP-4 N场 200V 0.6A
SI9420DY-T1 VISHAY SOP-8 N场 200V 1A
IRLM220A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 1.13A
IRFM210A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 0.77A
IRFR210 IR SOT-252 N场 200V 2.6A
IRFR15N20DTR IR SOT-252 N场 200V 15A
FQD10N20TF FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 10A
IRFR220 IR SOT-252 N场 200V 5A
FQD5N20LTM FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 5A
FDD2670 FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 3.6A
IRF0S IR SOT-263 N场 200V 18A
IRF630S IR SOT-263 N场 200V 9A
IRL0NS IR SOT-263 N场 200V 18A
FQB34N20 FAIRCHILD SOT-263 N场 200V 34A
IRF0散 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 18A
IRF630RL02 ROHM TO-220 N场 200V 9A
FQP19N20 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 19A
IRF650A FAIRCHILD TO-220 N场 200V 28A
IRF620N IR TO-220 N场 200V 5.2A
FQP10N20 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 10A
FQP630 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 9A
IRF610N IR TO-220 N场 200V 3.3A
IRF630N IR TO-220 N场 200V 9A
IRF620 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 5.2A
IRF0N IR TO-220 N场 200V 18A
PHP9NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 8.7A
PHP33NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 33A
IRF630B FAIRCHILD TO-220 N场 200V 9A
IRL610A FAIRCHILD TO-220 N场 200V 3.3A
PHP33NQ20T 07 NXP/恩智浦 TO-220 N场 200V 33A
PHP14NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 14A
FQP4N20L FAIRCHILD TO-220 N场 200V 3.6A
CEPF0 CET/华瑞 TO-220 N场 200V 18A
FQPF10N20C FAIRCHILD TO-220F N场 200V 10A
FQPF32N20C FAIRCHILD TO-220F N场 200V 28A
FQPF4N20 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 4A
IRFS0B散 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 18A
IRFS0B FAIRCHILD TO-220F N场 200V 18A
IRFI630G IR TO-220F N场 200V 9A
IRFS630B散 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 9A
STP19NB20FP ST TO-220F N场 200V 19A
FKP202 SK TO-220F N场 200V 45A
RDN150N20L02 ROHM TO-220F N场 200V 15A
2SK2382 TOSHIBA TO-220F短 N场 200V 15A
IRFP260NPBF IR TO-247 N场 200V 50A
STW50NB20 ST TO-247 N场 200V 50A
IRFU220N IR TO-251 N场 200V 5A
IRFU220N散 IR TO-251 N场 200V 5A
IRFU13N20DPBF IR TO-251 N场 200V 13A
IRFP250A FAIRCHILD TO-3P N场 200V 32A
IXFH80N20 IXYS TO-3P N场 200V 80A
250V MOSFET场效应管系列:
2SK2250 FUJ SOT-252 N场 250V 2A
IRF634N IR TO-220 N场 250V 8.1A
IRFS244B FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 10.2A
FQP9N25 FAIRCHILD TO-220 N场 250V 9A
FDAN25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V A
IRF654B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 21A
IRF4B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 14A
FQA27N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 27A
IRFU224B FAIRCHILD TO-251 N场 250V 3.8A
2SK1221 FUJ TO-220 N场 250V 10A
FQAF40N25 FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 40A
IRFS634A FAIRCHILD TO-220F N场 250V 8.1A
IRFS654B定型脚 FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
IRF614 IR TO-220 N场 250V 2A
FS20KM-5 RENESAS/瑞萨 TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFU12N25D IR TO-251 N场 250V 14A
FS20KM-5三凌 三凌/MITSUBISHI TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFS654B FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
FKP253 SK TO-220F N场 250V 20A
CEFF634 CET/华瑞 TO-220F N场 250V 8A
FQA40N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 40A
IXTK62N25 IXYS TO-3PL N场 250V 62A
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时间：2023-10-16 16:29
F0 N沟道场效应*管 200V 18A.可以用IRF0，IRL0NS，FQP19N20代用。
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时间：2023-10-16 16:27
用场效应*管代替。
场效应管用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
扩展资料:
主要参数：
1、直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
2、交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
参考资料来源：百度百科-场效应管
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时间：2023-10-16 16:28
F0 N沟道场效应*管 200V 18A.可以用IRF0，IRL0NS，FQP19N20代用。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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时间：2023-10-16 16:28
IRF0 N沟道场效应*管 200V 18A
三极管资料参见IRF0百度文库
以下网上找的数据，自己在里面找替换，替换原件参数等于或大于原原件即可。
-----------------------------------------------------------------------------
200V MOSFET场效应管系列:
2SK2350 TO-220F TOSHIBA DIP/MOS N场 200V 8.5A 0.4Ω
IRFD210 IR DIP-4 N场 200V 0.6A
SI9420DY-T1 VISHAY SOP-8 N场 200V 1A
IRLM220A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 1.13A
IRFM210A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 0.77A
IRFR210 IR SOT-252 N场 200V 2.6A
IRFR15N20DTR IR SOT-252 N场 200V 15A
FQD10N20TF FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 10A
IRFR220 IR SOT-252 N场 200V 5A
FQD5N20LTM FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 5A
FDD2670 FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 3.6A
IRF0S IR SOT-263 N场 200V 18A
IRF630S IR SOT-263 N场 200V 9A
IRL0NS IR SOT-263 N场 200V 18A
FQB34N20 FAIRCHILD SOT-263 N场 200V 34A
IRF0散 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 18A
IRF630RL02 ROHM TO-220 N场 200V 9A
FQP19N20 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 19A
IRF650A FAIRCHILD TO-220 N场 200V 28A
IRF620N IR TO-220 N场 200V 5.2A
FQP10N20 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 10A
FQP630 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 9A
IRF610N IR TO-220 N场 200V 3.3A
IRF630N IR TO-220 N场 200V 9A
IRF620 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 5.2A
IRF0N IR TO-220 N场 200V 18A
PHP9NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 8.7A
PHP33NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 33A
IRF630B FAIRCHILD TO-220 N场 200V 9A
IRL610A FAIRCHILD TO-220 N场 200V 3.3A
PHP33NQ20T 07 NXP/恩智浦 TO-220 N场 200V 33A
PHP14NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 14A
FQP4N20L FAIRCHILD TO-220 N场 200V 3.6A
CEPF0 CET/华瑞 TO-220 N场 200V 18A
FQPF10N20C FAIRCHILD TO-220F N场 200V 10A
FQPF32N20C FAIRCHILD TO-220F N场 200V 28A
FQPF4N20 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 4A
IRFS0B散 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 18A
IRFS0B FAIRCHILD TO-220F N场 200V 18A
IRFI630G IR TO-220F N场 200V 9A
IRFS630B散 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 9A
STP19NB20FP ST TO-220F N场 200V 19A
FKP202 SK TO-220F N场 200V 45A
RDN150N20L02 ROHM TO-220F N场 200V 15A
2SK2382 TOSHIBA TO-220F短 N场 200V 15A
IRFP260NPBF IR TO-247 N场 200V 50A
STW50NB20 ST TO-247 N场 200V 50A
IRFU220N IR TO-251 N场 200V 5A
IRFU220N散 IR TO-251 N场 200V 5A
IRFU13N20DPBF IR TO-251 N场 200V 13A
IRFP250A FAIRCHILD TO-3P N场 200V 32A
IXFH80N20 IXYS TO-3P N场 200V 80A
250V MOSFET场效应管系列:
2SK2250 FUJ SOT-252 N场 250V 2A
IRF634N IR TO-220 N场 250V 8.1A
IRFS244B FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 10.2A
FQP9N25 FAIRCHILD TO-220 N场 250V 9A
FDAN25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V A
IRF654B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 21A
IRF4B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 14A
FQA27N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 27A
IRFU224B FAIRCHILD TO-251 N场 250V 3.8A
2SK1221 FUJ TO-220 N场 250V 10A
FQAF40N25 FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 40A
IRFS634A FAIRCHILD TO-220F N场 250V 8.1A
IRFS654B定型脚 FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
IRF614 IR TO-220 N场 250V 2A
FS20KM-5 RENESAS/瑞萨 TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFU12N25D IR TO-251 N场 250V 14A
FS20KM-5三凌 三凌/MITSUBISHI TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFS654B FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
FKP253 SK TO-220F N场 250V 20A
CEFF634 CET/华瑞 TO-220F N场 250V 8A
FQA40N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 40A
IXTK62N25 IXYS TO-3PL N场 250V 62A
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时间：2023-10-16 16:29
F0 N沟道场效应*管 200V 18A.可以用IRF0，IRL0NS，FQP19N20代用。
