专利名称：半导体基片及其制造方法专利类型：发明专利发明人：佐藤信彦申请号：CN99122410.8申请日：19990903公开号：CN1250945A公开日：20000419
摘要：公开了一种具有非多孔单晶层的多孔硅层的晶体缺陷减少的半导体基片,及形成该基片的方法。该形成方法包括下列步骤:在不包含非多孔单晶层的源气体的气氛中对多孔硅层进行热处理,以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层,其中的热处理步骤在一定条件下进行,使得蚀去的硅厚度为2纳米或更小,且由(热处理后的表面孔密度)/(热处理前的表面孔密度)定义的多孔硅层的表面孔密度的变化率r满足关系式(1/10000)≤r≤1。
申请人：佳能株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
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