专利名称：半导体封装结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：王伟,刘安鸿,蔡豪殷,黄祥铭,李宜璋,何淑静申请号：CN201010003237.7申请日：20100104公开号：CN101950745A公开日：20110119
摘要：本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包含一基板单元及一第一芯片叠层结构。基板单元包含具有测试垫(test pad)的一电路结构。第一芯片叠层结构包含多个芯片，且各该芯片具有多个直通硅晶栓塞(through silicon plug)。二相邻芯片是通过直通硅晶栓塞达成电性连接，第一芯片叠层结构更电性连接至基板单元，并可通过测试垫对第一芯片叠层结构进行电性测试。本发明所提供的另一半导体封装结构包含一第一半导体芯片及一第二半导体芯片。各该半导体芯片具有用于电性测试的多个测试垫及连接至这些测试垫的多个直通硅晶栓塞。第二半导体芯片是承载于第一半导体芯片上，且二半导体芯片是通过直通硅晶栓塞的一部分彼此电性连接。
申请人：南茂科技股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：骆希聪
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