电子工艺技术 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ２０１ ７年７月 第３８卷第４期 ｄｅ，ｉ：１０．１４１７６／ｊ．ｉｓｓｎ．１００Ｉ一３４７４．２０Ｉ７．０４．００５ 扫描干涉表征铝硅合金和ＬＴＣＣ焊接翘曲度研究 吴伟．刘建 （＇ｌ＇ｌｑ电，ｆ－Ｆ｜技集Ｉ卅公ｒｄ第！Ｉ 八研究所，安徽合肥２３００８８） 摘要：以Ａｌ５０ｓｉ５０和Ａ１７３Ｓｉ２７两种合金焊接Ｉ ＦＣＣ基板 的翘ｆｍｉ 为作为研究埘象，介 Ｊ ．种怏述准确 ，埘 测量集成电路元器件翘曲度的技术疗法一扫描干涉技术 运用该疗法埘钒矾合会 板的翘ｌＩＩ１ ｛｝进 ｒ ｝｛Ｊ结论：扫捕十涉技术能快速有效地对销硅合金焊接前后的翘 悭进行汁算和判定；ＡＩＳｉ 比ｒ两种钒硅合金焊接后的翘曲度，分析了翘ｌ＿ｌ｝ｊ度产生的原因，说明ｒ翘『ｆＩ１度－－Ｊ＃ｉ＂－接钉透 之川的父系 未 接的翘ｉｌＩ｛艘 为０．０３６％，ＡＩＳＯＳｉ５０合金焊接１／ＦＣＣ后的翘曲度为０．２１６％，Ａ１７３Ｓｉ２７合金焊接Ｉ Ｔ（：（： 的 ｝Ｉ｛Ｉ 大；焊接后的翘ｆｆ｝ｊ度越大，焊接钎透牢越低 天键渊：扫描十涉技术； 硅合金；焊接；翘ｆ¨１度 ｌＩｌｌ矧分类 ：ＴＮ６０５文献标识码：Ａ 文章编 ：１Ｏ０１—３４７４（２０１７）０４—０２００—０４ ｌ（）．３８０％； 合金与ＬＴＣＣ￣：板的热膨胀系数的差异导致丫锅硅合金 板变形翘『ｆ｝１，热膨胀系数蓐 越人，Ｊｌ 扳的翘ｆ｛｝ 越 ｌＷａｒｐａｇｅ Ｓｔｕｄｙ ｏｆ ＡＩＳｉ Ａｌｌｏｙ ａｎｄ ＬＴＣＣ Ａｆｔｅｒ Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ Ｗｉｔｈ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＷＵ Ｗｅｉ．ＬＩＵ Ｊｉａｎｊｕｎ （Ｔｈｅ ３８ｔｈ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＣＥＴＣ．Ｈｅｆｅｉ ２３００８８，Ｃｈｉｎａ Ｉ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｗａｒｐａｇｅ ｏｆ ＡＩ５０Ｓｉ５０ ａｎｄ ＡＩ７３Ｓｉ２７ ａｌｌｏｙｓ ｗａｓ ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ ａｆｔｅｒ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ ｗｉｔｈ ＬＴＣＣ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ－Ｓｃａｎｎｉｎｇ ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ ｗａｓ ｕｓｅｄ ｔｏ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅ ｔｈｅ ｗａｒｐａｇｅ ｏｆ ＡＩＳｉ ａｌｌｏｙｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅＴｈｅ ．ｗａｒｐａｇｅ ｏｆ ｔｈｅ ＡｌＳｉ ａｌｌｏｙｓ ａｆｔｅｒ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ ｗｅｒｅ ｃｏｍｐａｒｅｄ．Ａｎａｌｙｚｅｄ ｔｈｅ ｒｅａｓｏｎ ｃａｕｓｅｄ ｗａｒｐａｇｅ ａｎｄ ｅｘｐｏｕｎｄ ｔｈｅ ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ ｂｅｔｗｅｅｎ ｗａｒｐａｇｅ ａｎｄ ｓｏｌｄｅｒ ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ ｒａｔｅＴｈｅ ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎｓ ｉＳ ｔｈａｔ ｓｃａｎｎｉｎｇ ．ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ ｃａｎ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅ ａｎｄ ｃａｌｃｕｌａｔｅ ｔｈｅ ｗａｒｐａｇｅ ｏｆ ｔｈｅ ＡＩＳｉ ａｌｌｏｙｓ ｑｕｉｃｋｌｙ ａｎｄ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙＴｈｅ ．ｗａｒｐａｇｅ ｏｆ ＡＩＳｉ ａｌｌｏｙ ｂｅｆｏｒｅ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ ｉｓ ０．０３６％．ＡＩ５０Ｓｉ５０ ａｌｌｏｙ ｉｓ ０２１６％ａｆｔｅｒ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ ｗｉｔｈ ＬＴＣＣ ．ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ＡＩ７３Ｓｉ２７ ａｌｌｏｙ ｉｓ ０．３８０％ａｆｔｅｒ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇＴｈｅ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ．ＡｌＳｉ ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ ＬＴＣＣ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｌｅａｄ ｔｏ ｗａｒｐａｇｅ ｏｆ ＡＩＳｉ ａｌｌｏｙ ｓｕｂｓｔｒａｔｅＴｈｅ ｇｒｅａｔｅｒ ｔｈｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ｉｓ．ｔｈｅ ．ｌａｒｇｅｒ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｗａｒｐａｇｅ ＩＳ．Ｔ ｈｅ ｇｒｅａｔｅｒ ｔｈｅ ｗａｒｐａｇｅ ｉＳ ａｆｔｅｒ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇｔｈｅ Ｉｏｗｅｒ ｔｈｅ ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ ．ｒａｔｅ ｉＳ Ｋｅｙ Ｗｏｒｄｓ：ｓｃａｎｎｉｎｇ ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ；ＡＩＳｉ ａｌｌｏｙｓ；ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ；ｗａｒｐａｇｅ Ｄｏｃｕｍｅｎｔ Ｃｏｄｅ：Ａ Ａ￣ｉｃｌｅ ＩＤ：１００１－３４７４（２０１７）０４．０２００．０４ 存现代电了。制造、ｌ 中，电 元器件的制造过程 和集成电路的封装过程，不 避免地要使用到化学 加ｒ、机械）ｊ１］ｆ－、热加上等』Ｊ【】］ 成 、农Ｉ 处理等 Ｔ 制造手段。 土寸装过 板，小剑｛果芯Ｈ的小同种类 或焊接等不同的１ 岂，Ｉ Ｊ ‘ ，ｋ．９Ｊ 利，炎） 的ｊ 之 使… －ｉ￣ｔ．￥ｔ什 此 Ｉ 作者简介：吴伟（１ ９８６一）．男，博士，毕业于北京航空航天大学，工程师基金项目：装备预先研究基金项目（项目编号：４１４２３０７０１ １５）。 ，主要从事微电路组装工艺研究工作 第３８卷第４期 吴伟，等：扫描干涉表征铝硅合金和ＬＴｃｃ焊接翘曲度研究 ｚ０１ 的制造过程和集成电路的封装过程巾，将人量的机 械应力、温度 力等引入电子元器件，造成元器件的 变形失效。进 重影响了集成电路的功能实现。 随行 ｆ 、Ｉｌ，的飞速发展，人规模 成电路巾 的器件的微小 化是发展的必然趋势 对高密度器 件进行局邮ｒ ｌ 测量器件变形是无法满足制造需求 又足明５ 无法实施的。通常的检测设备无法快速直 接地对【ｉ『Ｊ将封装和封装完成的元器件中的残余应力 进行检测 。但是，应力的释放途径是材料的变 形，可以通过测 元器件的变形翘【ｉｌＩ度可以判断该 ７ 器件足禽 变形，从而判定是 为失效件。囚 此，急需能尤损检测和表征电ｌｒ‘元器件翘【出度的柃 测翘曲度的力‘法，高效快速地实现对集成ｌｉｚ路生 Ｊｔｌ物料和集成电路产ｒ 的失效变形的检测及判定， 从而提高 ｒ］，的成品率和可靠性。 随荷航 、航大和军事，１ｊ途的微波组件向着多 平台、人功 、轻型化、小型化、高密度组装及高 性能ｆｔ方向发 。对电子封装利’料提出ｒ更高的要 求，传统电 封装材｛－｝￣ＨＫｏｖａｒ、Ｗ—Ｑ・羽ｌＭｏ—Ｃｕ 等导热系数低、密度高尤法满足微波组件敞热和减 巫的需求…。 ；合会热膨胀系数为２０ Ｘ １０－￣＇／Ｋ，远远 大于芯片Ｊ 采丌］ｎ勺ｓｉ和ＧａＡｓ的热膨胀系数（４×１０～～ ５×１ｆ】 ／Ｋ）。 Ｉｉ Ｉ合金作为新兴的电了封装材料，具 有质量轻（ 度小于２．７ ｇ／ｃｍ ）、热膨胀系数低和热 导率 等优点，近几年来…・＿＾足电了‘封装领域的研 究热点。 钒 ｉｔ 会作为封装材料，经常会与陶瓷基板或 扦微带板进行焊接，其焊后平整度和钎透牢是实现 微波电￣ｌｔ＇ｌｕ。标的关键 素。因此，本文【｝Ｉ以铝硅合 金和ＬＴｃｃ焊接Ｊ、 力变形行为为研究对象，介缁＿ｒ扫 描Ｔ涉技术埘焊接前后的铝硅合仑的翘曲变形的表 ｉｔ技术， 研究 翘曲变形的形成过程以及翘曲度 Ｊ￣ｔ：透牢 抒的 联件。 １翘曲度的表征 铝娃合仑ｌｔＩ的砷含量不同，常刚成分合金 为Ａ１３Ｉ）Ｓｉ７０、Ａｌ４（）Ｓｉ ｒ１（】、Ａ１５０Ｓｉ５０、Ａ１５８Ｓｉ４２、 Ａ１７３Ｓｉ２７。ｉｌＩ于ｌｌ、 ｓｉ的锚硅合金强度较低，复杂外形 ７［Ｉ＿ｆｌ：的机』Ｊｕ成 低，所以水文中采刖我所较为常 用的Ａ１５（）ｓｉ５（１ Ａｌ７３ｓｉ２７两种合会作为研究对象，ｌ其 热膨胀系数分别为１ １×… ／Ｋ￣：Ｉ１１７ Ｘ １０。‘’／Ｋ 、 ｆｆｌ丁Ａ１５１）ｓｉ５（）和Ａ１７３ｓｉ２７两种合会的热膨胀系数 与ＦｅｒｒｏＡ６Ｍ ＬＴＣＣ基板的热膨胀系数７×１（） ／Ｋ有所 荠异，可以颅 焊接宄成后二者＿占１５会有所变形，这 样给 焊接后板材的翘 度造成网难。闵此我们 没计 合金扳材ｋｈＬＴＣＣ綦板币肖人，采用扫描干涉 仪仆接触测量铝硅合金板材边缘的翘曲度来表征 接Ｊ）ｉ＿『后变Ｊｆ５：遣的变化，如冈１所示。 －＿一。．一 ＝＝ ：卜一铝： 硅基板 图１ 扫描干涉仪对铝硅基板翘曲度测量示意图 根据参考文献【２】中的翘曲度概念，本文定义钒 石丰合会的翘曲度，具体定义公式ｌ女ｌ１ｆ下．： ｙ＝ｈＩＬ （１） 式［｛Ｊ： 为铝硅合金板材特定 分的翘曲度； 为翘川Ｉ ｌ，即制品评价门标与参考对象之间的最大 趴离；上为 价目标在特定办向的投影Ｋ度。 采川扫描干涉法测量翘曲度的 理是：该方法 通过垂Ａ扣描位 与１一涉条纹的强度的变化关系求 得零光 芹的位置，以确定被测物体表面的相对高 度即翘曲上Ｌ｝，通过步进扫描和自动对焦，进而恢复 其形貌，获得在扫描范 内翘 埘最大值由。测谜示 意图女ｌ】Ｍ２所示。 重方 图２扫描干涉仪应用于翘曲厦测量原理图 ２实验结果分析 ２．１翘曲度分析 本义中采用了三种实验样ｒ ，分别为：ＡＩＳｉ俞 金板材样品，Ａ１５０Ｓｉ５０合金焊接ＬＴＣＣ后的样 ， Ａ１７３Ｓｉ２７合金焊接ＬＴＣＣ后的样Ｉ 每种样品测量了 两个样 ｆ，，并月．分别对两个样 的ｋ边和短边都进 行ｒ翘１…ｌ｝测量。扫描十涉仪对ＡＩ５（）Ｓｉ５０合会焊接 ＬＴＣＣ后样 ｕ】的长边和短边进行步进 扫后形成的罔 片如 ３所 ，图中的颜色分布从 色到深蓝色，代 表样 表 与基准面的高度差变化从高到低。从 ３ 我们能消楚地看到样品的长边和短边的翘曲变化规 律基本卞¨川，都足两端高度芹低，Ｉ…司高度差高， 最大位即翘曲量都存板材中间附近。图３（ｃ）为统 计ＹＡｌＳｉ合仑板材样ｆ １、ＡＩ５０Ｓｉ５０介金焊接ＬＴＣＣ后 的样『 、Ａ１７３Ｓｉ２７合金焊接ＬＴＣＣ后的样品长边雨１短 边翘【｛ｉ Ｉ的数据。从图中可以石出，三种样『ｎ］的长 电子工艺技术 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ 边和 边翘曲 变化不大，Ａ１Ｓｉ合金板材米料样品 ２０１７年７月 为１１ Ｘ １０－３／Ｋ，二者棚差４ Ｘ １０。。 ／Ｋ，『ｆ１ｊ用Ｓｉ质 分 数为２７％的铝硅合金焊接时，热膨胀系数蔗达到＿ｒ １０×１（）一／Ｋ。据文献报道，原则上热膨胀系数差大， ２ Ｘ １０ ／Ｋ时，就会出现热膨胀失配现象。 。。 加热和 冷却过程中，铝硅合金基板）￣ｒｌＬＴＣＣ基板的受热及变 形过程描述如下：加热时，铝硅合金基板放在热源 上，ＬＴＣＣ基板放在铝硅合金基板上，二者之 有金 锡焊料。在加热时，由于有温度梯度的关系，靠近 的翘【ＨＩ 数值最低也较为稳定，说明基材质量好， １ １．３～１ １ ４ ｍ；Ａ１７３Ｓｉ２７合金焊接ＬＴＣＣ后的样品的 翘Ｉ如 最人，１１（）．１～１３０．１ ｔｘ １１１；ＡＩ５０Ｓｉ５０俞金焊接 ＬＴＣＣ后的样品翘曲量较低，５６．【）～８４．４ １１１。 Ｅ ￡ 蚓 钼 鼎 ｉ／ 一＼ 热源的铝硅合金基板的底面最先开始Ａ月ｔ黟＊／胀，膨胀量 大于顶面，造成铝硅合金 上弯曲，ＬＴＣＣ 板有 ０ ５ １０ １ ５ ２０ ２５ ３０ ３３ 长边 ／ｍｍ （ａ）长边的翘曲量测试图 Ｅ Ｅ Ｃ Ｃ 嗡《 钼 钼 鼎 ０ ５ １ｏ １５ ２０ ２５ ３Ｏ 短边 ／ｍｍ 翘曲位置 （ｂ）短边的翘曲量测试图 （ｃ）翘曲量数据统计 图３铝硅基板的翘曲量测试 通过｝ 述对三种样品的翘曲埴的测量，结合公 式（１）町以对样 ＾的翘曲度进行计算。计算的结 女【 ｊ４所永，Ａ１Ｓｉ俞金板材来料样品的翘曲度为 ３．５×１（）一～３．６×１（），Ａ１５｛｝Ｓｉ５（）合金焊接ＬＴＣＣ后的 样 的翘曲度为１．７５ Ｘ １０～～２．６３ Ｘ １０～．Ａ１７３Ｓｉ２７ 合金焊接ＬＴｃｃ后的样品翘曲度为３ ０５×１ ０～～ ４．０７×Ｉ（）’ ．把氰利 铝硅合金的两个样品翘曲度数 捌和、Ｆ均翘曲度数据整理后，我们发现ｊ种铝硅合 金的、 均翘ｆ｝｝］度分别为Ａ１Ｓｉ合会未焊接３ ６０×１０～， Ａ１５｛）ｓｉ５（）合金焊接ＬＴＣＣ后２．１６×１（ 。Ａ１７３Ｓｉ２７合金 接ＬＴＣＣ ３．８０ Ｘ １ ０。。 。。 ｂ 一 × 鼎 样 １ 样品１麓曲样 ２ 样品２短地 翘曲位置 图４铝硅基板翘曲度数据统计 从ｊ 均翘曲度的数据来看，Ａ１５０Ｓｉ５０合金焊接 ＬＴＣＣ后足未焊接的６倍，而Ａ１７３Ｓｉ２７合金焊接ＬＴＣＣ 后ｎ勺翘『ｆ】１度增加得更多，是未焊接的１０．５倍。分析 ，我们认为卡要还是热膨胀不 配的问题。 ＦｅｒｒｏＡ６Ｍ ＬＴＣＣ基板的热膨胀系数为７×１０／Ｋ，在 销仆俞会中， ｓｉ质量分数在５０％时，其热膨胀系数 样的趋势，此时两种基板不受相互之 的约束；当 焊料完全熔化后，热源撤出，温度梯度 反，导致 铝硅合金向下弯曲，ＬＴＣＣ基板趋势卡¨川，当焊料刚 化有约束时，由于二者热膨胀系数的 异导致ｒ膨 胀变形量的差异，从 产生了拉应力，使得锚硅合 金基板变形翘曲 ｌ。热膨胀系数 ＿异越大，綦板的 翘曲度越大，这个分析结沦与前面的实验结果相符 合。ＬＴＣＣ 板和铝硅合金基板 焊接时的热膨廿ｋ夫 配示意图如图５所示。 采 加 热 图５ ＬＴＣＣ基板和铝硅合金基板在焊接时的热膨胀失配示意图 ２．２翘曲度和焊接效果的关系 对于基板焊接来说，评判标准就是焊接的钎透 率，其决定＿，后续的电讯性能捐杯。 ６足ＡＩ５｛｝Ｓｉ５０ 合金焊接ＬＴｃｃ和Ａ１７３ｓｉ２７合金焊接ＬＴＣＣ后的ｘ—ｒａｙ 照片。从图６６Ⅵ以看出，ＡＩ５０Ｓｉ５Ｏ合金 ｊＬＴＣＣ的焊 接钎透率大于９（）％，要明 好于Ａ１７３Ｓｉ２７合令与ＬＴＣＣ 的焊接效果。从图６（ａ）上能明 看剑两个 板之闸 的焊料层钎透率明显小够，卜１＿有人哂积的空涧。 图６ ＬＴＣＣ基板分别与ＡＩ７３Ｓｉ２７和ＡＩ５０Ｓｉ５０合金基板焊接后钎透 率对比 ｆ＝『＝１上述实验结果和分析百丁矢¨，当焊接时铝娃合金 基板￣ＨＬＴＣＣ基板的热膨胀系数差距较大时，会产生 基板翘曲现象，虽然二者翘【ｆ｝】弧度方（下转第２４４页） 电子工艺技术 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｊ１ｊ热校 ］－装ｌ 进行了热校平试验，对热 校平后卜片架厚度方向的平面度进行了检测，上 ２０１７年７月 接【＿］的尺、 误差 ±（）．（）３ ｎｌｌｌｌ以内，卜ｊ ‘ 尺线安装 面与ＳＡＭ安装面平面度均为（）．１（１ ｉｌｌｎｌ，保 ｒ天线与 组件的装 －ｔ： ｊ重要求。 下 山 ｆｔ９、 面度分别为（】．４４ Ｆｎｎｌ、０．４５ ｎｌｍ，均小 于《Ｊ．５ １］１Ｉ１１，加ｒ余量满足需求。机加］－试验后，在 三 标测 机卜埘加Ｊ－后的ＳＡＭ安装接口、天线和 ＳＡＭ安装ｌｆｊｆ进行了柃验，ＳＡＭ安装接【ｌ的尺＿Ｊ 误差 ±（１．０３ １１１１１ 以内，卜片 天线安装而与ＳＡＭ安装而 平面度均为（）．１（）ｎ ｎ ，均满足设计需求。经内窥镜检 测．腔１人Ｊ九切屑。成功研制的天线框架已应用于机 裁村ｌ控 ｍ达的后期研制。 参考文献： ［１］任开锋．拿风英．术忐行．等．某机载雷达相控 人线结卡句设计 ｆＪ１．电子机械Ｉ 程，２０１０，２６（２）．４３—４６． ［２］许业林，张 １｝１．江海尔． 精度统ｉｔ 误差分析研究…．电子 Ｔ艺技术，２（）１５，３６（３）：ｌ７５一ｌ７８． 【３】朱春临，左防震．椠机载甫达十ｂ℃天线桩架的研制…．航空圳造 技术．２０Ｉ３，（１（））：８４—８７． 【４】李光．傅强．相控阵天线 成形技术ｌＪ １．火控雷达技 ４结论 采川Ｉ 了・束焊接的 ‘法，通过焊接结构分解和 有限 优化设计，实现ｒ人尺、ｒ带双 液冷分配器 人线 的焊接成 ，侄１．２ ＭＰａ下保 ３（）ｍｉｎ尢渗 术，２００２，３ ｌ（３）：１４—１ ７． 【５１徐波，粱卞．乍元生．有限厄法 ｕ子束焊接【｝】的 ｊ．｝Ｊｌ ＪＩｌ电子Ｉ 艺技术，２００７，２８ｆ６）：３２ １—３２３． 漏。通过１ 艺流桴设计币ｌＪ关键上艺控制．ＳＡＭ安装 （上接第２０２页） ・敏。们是翘曲度乖ｌ】焊接效果有 度进行计ｇ１：，Ｈ￣－０定。２）Ａ１Ｓｉ合金未 接的翘曲量为 １ １ ３～１ １．４ ｎ１，Ａ１７３Ｓｉ２７ 金 接ＬＴＣＣ Ｊ￣的样ｆ 别，Ａ１７３Ｓｉ２７合金 板的翘曲度明显人’ Ａ１５０Ｓｉ５０合 会珠板，川时焊接钎透牢却是前者小 Ｊ 后者。证明 Ｚ ：ｒ１ 的翘曲量最火，１１０．１～１３（）．１ １ ＡＩ５（）Ｓｉ５（）合会焊 接ＬＴＣＣ后的样品翘曲量较低，５６．０～８４．４ ＩＩ１。通 过翘曲度计算，三种样，１＿Ｊ１的平均翘帅度分别为Ａ１Ｓｉ 合金米焊接３．６０ Ｘ １ ０，Ａ１５（）Ｓｉ５０合金 接ＬＴＣＣ后 ２．１６ Ｘ １（）。。 ，Ａ１７３Ｓｉ２７合令 接ＬＴＣＣ后３．８０×１０ 。 １，７ ｔ 俞 －ｊＬＴＣＣ的膨胀系数差距越火，焊接后的翘 ｕｒＨ］度越人，焊接钎透牢越低。因此．在选择铝硅合 会，￣Ｉ；ＩＬＴＣＣ进行焊接时，建议采Ｊ１］Ａ１７３Ｓｉ２７合金。 ３运用扫描干涉表征焊接后样品翘曲度的展望 众所川知，存微电ｒ‘组装过程『｛１不呵避免地会 ３）铝硅合金ｔ￣ＬＴＣＣ荩板的热膨ｉ－／胀系数ｆ，ｆ勺差异导致 丫膨胀变形 的差异，从 产牛了拉 ／Ｊ，使得铝 硅合金基板变形翘曲。、 １热膨胀系数井片越人，就 … ｆ【＿『Ｊ 小 器件和 板的焊接过程，、 １发生热膨胀 ，其焊接后的 曲度直接影响剑整休组件 会造成綦板的翘曲度越人。铝硅合金！－３ＬＴＣＣ的热膨 胀系数差距越大，焊接后的翘Ｉ忖１发越人，焊接钎透 率越低。 电 ｒ｝ 能的 现。运｝｛ｊ¨捕干涉技术不仅呵以对新１ 艺进仃翘ｌｉｔｊ度和ｒ艺ｌＪ『 性进行判定，而且可以对 接顾 进行检 ，小仪ｎＪ以对器件进行全面扫 描太 肜貌，同时也 Ｊ‘以对器件的局邮翘曲度进 行柃测 、 参考文献： 【Ｉ Ｊ杨伏良．新型轻质低膨胀高 热电子封装材料的研究『Ｄ１．长沙： 中南大学，２００７：１－６． ４结论 小义以ＡｌＳＯＳｉＳ０￣ｌ１Ａ１７３Ｓｉ２７两种俞金焊接ＬＴＣＣ ［２ｊ李古泉．拿德群，郭志英．甥仲翘曲度及其汁箅力 法『Ｊ１＿高分子 材料科学 －ｊ ｒ程，２００８．２４（６）：１—４． １３ｊ成钢．膨胀系数ｐＥ配对电子产 １＾ ｌ『靠 的影响¨ｌ－ｌＵ＇Ｆ产品”ｒ靠 性与环境试验，２ＯＩＯ．２８（６）：３２—３６． 【４］张 杰．韩启龙．ＰＣＢ焊接过 ｒｆｌ翘ｆ｝｝ｉ原因探究 ｊ改善ＩＪＩ．电子 ＿【 艺技术 ２０１３，３４（５）：２８４—２８８ 板后的翘［｛１］行为作为研究对象，介 厂一种快速 准确洲：１｛＝集成电路冗器件翘曲度的技术方法一扣描 ｔ涉技术。并运用扫描Ｔ涉技术对 合金基板的 翘曲 进 ｒ表征，对比了两种铝硅合金焊接后的 ［５］任康，刘 金，ｈ莹模块焊接后变形原因分忻…．电子工艺技 术，２０ １ ６．３７（６）：３３３—３３５． 收 ｌ…】：２０１７－（１５—１ ６ 翘曲皮。分析ｒ翘曲度产生的原因，蜕ｌ月ｒ翘曲度 ｉ与焊按钎透率之间的关系。得到如下结论：１）扫描 ＿Ｔ涉技术能快速有效地对铝硅合会焊接前后的翘【Ｉ【 ］