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一种介孔二氧化硅及其制备方法[发明专利]

2022-03-31 来源:爱站旅游
导读一种介孔二氧化硅及其制备方法[发明专利]
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种介孔二氧化硅及其制备方法专利类型:发明专利发明人:张基明

申请号:CN201910742077.9申请日:20190812公开号:CN110342530A公开日:20191018

摘要:一种介孔氧化硅及其制备方法与应用,属于硅胶填料领域,所述介孔SiO比表面积是367m/g~407m/g,平均孔径11.26nm~13.65nm;表面羟基含量0.498mmol/g~

0.541mmol/g。所述制备介孔二氧化硅的方法:以天然矿物(橄榄石或蛇纹石)为硅源,通过一步法制备介孔SiO,首先在酸,表面活性剂和致孔剂的混合溶液中加入天然矿物硅源,在特定温度搅拌一段时间使其充分反应,反应结束后离心分离得到含硅前驱体,经静置、过滤、洗涤和干燥后,高温煅烧即得介孔SiO,然后将所得介孔SiO键合C18后用于高效液相色谱填料。

申请人:中谱科技(福州)有限公司

地址:350000 福建省福州市马尾区湖里路27号1#楼2-72V室(自贸试验区内)

国籍:CN

代理机构:北京彭丽芳知识产权代理有限公司

代理人:彭丽芳

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