专利名称：单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：赵东元,朱洪伟,刘玉普申请号：CN201811534737.6申请日：20181214公开号：CN109368648A公开日：20190222
摘要：本发明提出了一种单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法，包括：(1)将表面活性剂和催化剂溶解到水中，加入有机溶剂；加入硅源，形成新的混相体系；(2)所述新的混相体系在温度10‑60℃中反应；得到单分散介孔二氧化硅纳米片；(3)将上述单分散介孔二氧化硅纳米片，去除其中的表面活性剂。
申请人：深圳元颉新材料科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区科园路1008号软件产业基地1栋C1201
国籍：CN
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