专利名称：一种断路器磁电速度测试传感器的结构参数优化方
法
专利类型：发明专利
发明人：邵洪平,陈亮,郑澍宇,韦朝奥,李学腾申请号：CN201910954195.6申请日：20191009公开号：CN110717227A公开日：20200121
摘要：本发明提供一种断路器磁电速度测试传感器的结构参数优化方法，其特征在于：步骤一：建立数学模型，步骤二：选择适当的最优化方法，步骤三：根据步骤一和步骤二得到最优化数学模型，步骤四：根据步骤三得到的最优化数学模型通过实验测试，所述步骤一包括设计变量X＝[x,x,...,x,...,x]、目标函数和约束条件g(X)≤0(j＝1,2,...,m)，所述设计变量包括线圈径向各层匝数、线圈轴向层数以及上下两线圈之间的距离对传感器灵敏度和线性度。本发明断路器磁电速度测试传感器的结构参数优化方法能够达到减少产品自重，降低工程的造价成本，节省人力物力，延长设备的使用寿命。
申请人：云南电网有限责任公司大理供电局
地址：671000 云南省大理白族自治州大理市经济开发区电力巷
国籍：CN
代理机构：东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙)
代理人：陈世洪
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