专利名称：FRAM存储单元专利类型：发明专利
发明人：H·高斯纳,I·艾瑟勒,F·维特曼,V·拉姆高帕尔劳申请号：CN96197120.7申请日：19960916公开号：CN1197532A公开日：19981028
摘要：晶体管存储单元包括一个双稳态场效应晶体管BIMOS,它具有完全耗尽的、浮动的导电沟道,该导电沟道具有一滞后的栅极电压特性曲线。该双稳态晶体管的栅极G在对存储单元写入时可以与一个第一位线BL1相连接,它的第二沟道接口S在读出存储单元时可以和一个第二位线BL2相连接,对此,两个位线BL1、BL2可以是相同的。可以通过一个第一晶体管T1或第二晶体管T2实现在位线BL1,BL2和双稳态晶体管BIMOS之间的连接,这两个晶体管由各自的一个字线WL1、WL2控制。
申请人：西门子公司
地址：联邦德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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