一种特高压IGBT的制造方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910042253.8 （22）申请日 2019.01.17

（71）申请人 厦门中能微电子有限公司

地址 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303

（10）申请公布号 CN109767983A

（43）申请公布日 2019.05.17

室之822

（72）发明人 鄢细根;黄种德;陈晓静

（74）专利代理机构 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 陈娟

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种特高压IGBT的制造方法

（57）摘要

本发明公开了一种特高压IGBT的制造方

法，包括以下步骤：硅片背面采用磷杂质注入，注入剂量为5E12，并在1200‑1250度进行300分钟以上的高温推进，形成背面N型缓冲层；形成正面分压环；打开有源区并进行JFET注入与退火；形成栅氧与多晶栅；P‑BODY注入退火；源N+注入退火；去除硅片背面氧化层并进行背面硼杂质注入与退火，注入剂量在1E13，退火温度为

900度，形成集电区PN结，保证硼杂质能够激活；形成引线孔；形成正面金属化；形成钝化层；形成背面金属化，避免减薄处理。本发明提供的特高压IGBT的制造方法避免了金属化后必须使用激光退火的加工步骤，减少对昂贵激光退火机台的采购，周期短、成本低、效率高，具有推广价值与实用价值。

法律状态

法律状态公告日2019-05-17 2019-05-17 2019-06-11

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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权利要求说明书

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说明书

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