专利名称：一种基于SRAM实现存内运算的电路结构专利类型：发明专利
发明人：王豪州,赵信,黄金明,方华,张立申请号：CN202010710323.5申请日：20200722公开号：CN111863071A公开日：20201030
摘要：本发明涉及一种基于SRAM实现存内运算的电路结构，包括双译码电路、存储阵列电路、单端敏感放大器电路和逻辑运算电路，所述双译码电路输出端通过或门与存储阵列电路相连，所述存储阵列电路的位线实现线与操作，位线非实现或非操作后分别通过所述单端敏感放大器电路处理后送入所述逻辑运算电路；所述存储阵列在存储数据的模式下时，所述双译码电路中的一个译码器进行工作，所述存储阵列在运算模式下时，所述双译码电路中的两个译码器同时进行工作。本发明避免了因CPU频繁访问内存导致功耗上升的问题。
申请人：上海高性能集成电路设计中心
地址：200120 上海市浦东新区张江高科园区毕升路399号
国籍：CN
代理机构：上海泰能知识产权代理事务所
代理人：钱文斌
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