专利名称：基于MOS管的TSV转接板及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：李妤晨,刘树林,张超,岳改丽,童军,徐大庆,张岩,杨波,
刘宁庄
申请号：CN201711351031.1申请日：20171215公开号：CN108321117A公开日：20180724
摘要：本发明涉及一种基于MOS管的TSV转接板及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底上制备栅极区、源区和漏区形成MOS管器件区；利用刻蚀工艺，在所述MOS管器件区两侧依次制备隔离沟槽和TSV；对所述隔离沟槽进行填充形成隔离区；在所述TSV进行填充形成TSV区；在所述Si衬底上表面制备所述TSV区的第一端面与所述MOS管器件区的铜互连线；在所述TSV区的第二端面制备铜凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工MOS管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
申请人：西安科技大学
地址：710054 陕西省西安市雁塔中路58号
国籍：CN
代理机构：西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：李斌
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容